刻蚀：

在半导体芯片制程中，刻蚀无疑是整个芯片制程非常关键的工艺控制点，干法刻蚀、光阻去除等工艺，通常伴随着等离子体增强的高温及化学腐蚀影响，一般材料很难满足这种苛刻的使用要求，Honseal产品具备优异的耐化学特性、耐高温、低析出、低金属离子污染等突出性能，被广泛使用在最先进的半导体芯片制程设备中。

湿制程：

半导体湿制程工艺介质种类繁多，应用状况复杂，同时需要兼顾到成本的考虑弘芯氟醚能提供用于耐广泛化学介质侵蚀要求的各类静态、动态及复合应用的产品，使用在湿法刻蚀、CMP、匀胶显影等不同工艺中。

薄膜沉积、热制程：

Honseal产品具有优异的耐温特性，无论是HDPCVD、PECVD、PVD还是在LPCVD、氧化、扩散、RTP等高温制程工艺中，能够保持低释气率，满足客户对于高温橡胶材料的使用要求。